+7 495 933 6 999
info@qbs.ru
0
0

Ваша корзина пуста!
Скидка -7%
Модель:
794719
Артикул:
794719
Производитель:
Micron
Артикул:
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Наличие:
8 шт.
Вес:
0.05 кг
36 880 ₽34 467 ₽
Доставка послезавтра и позже, от 490 ₽
Самовывоз сегодня, бесплатно
CAS Latency (CL)
19
Артикул производителя (Part Number)
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Все характеристики
7 дней на возврат
Модуль памяти DDR4 32GB PC4-21300 2666MHz CL19 288-pin ECC 1.2V

Основные характеристики

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 32 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.

Артикул производителя (Part Number) MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Стандарт DDR4
Форм-фактор UDIMM
Объем одного модуля 32 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 32 ГБ
Эффективная частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 Мб/с
Поддержка ECC Есть
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Есть
Количество контактов 288
CAS Latency (CL) 19
Напряжение питания 1.2 В
Нормальная операционная температура (Tcase) 75 °C
Радиатор Нет

Основные параметры

CAS Latency (CL)
19
Артикул производителя (Part Number)
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Буферизованная (регистровая)
Нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1 шт
Количество ранков
2
Количество чипов на модуле
18 шт
Компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная
Есть
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
Объем одного модуля
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Поддержка ECC
Есть
Пропускная способность
21300 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
Стандарт
DDR4
Суммарный объем
32 ГБ
Форм-фактор
UDIMM
Эффективная частота
2666 МГц

Габариты и вес

Вес:
0.05 кг
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще.

Похожие товары
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 32GB Micron MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 PC4-25600 3200MHz ECC CL22 288pin 1.2V
Модуль памяти DDR4 32GB Micron MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 PC4-25600 3200MHz ECC CL22 288pin 1.2V
785836
CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22
36 880 ₽ 34 467 ₽
Скидка -8%
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM29ED8/32ME 2933MHz ECC CL21 2Rx8 Micron E
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM29ED8/32ME 2933MHz ECC CL21 2Rx8 Micron E
800930
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
37 588 ₽ 34 467 ₽
Скидка -21%
Модуль памяти DDR4 32GB Samsung M391A4G43BB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V
Модуль памяти DDR4 32GB Samsung M391A4G43BB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V
889090
CAS Latency (CL): 22 XMP совместимая память: Нет
43 508 ₽ 34 467 ₽
Скидка -34%
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM32ED8/32ME PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V retail
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM32ED8/32ME PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V retail
803531
CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22
56 826 ₽ 37 664 ₽
Скидка -94%
Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Kingston KSM29SED8/32ME 2933MHz CL21 ECC 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron E retail
Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Kingston KSM29SED8/32ME 2933MHz CL21 ECC 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron E retail
851182
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 21
679 312 ₽ 37 861 ₽
Модуль памяти Dell 370-ADOT 32GB Dual Rank RDIMM 2666MHz Kit for G14 servers
613782
CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19
56 648 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти DDR3 8GB Transcend TS1GLK72V6H PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V ECC Unbuffered 2Rx8 ОЕМ
Модуль памяти DDR3 8GB Transcend TS1GLK72V6H PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V ECC Unbuffered 2Rx8 ОЕМ
359226
Activate to Precharge Delay (tRAS): 30 CAS Latency (CL): 11
12 530 ₽ 11 391 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8L/8HDR PC4-25600 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D Rambus
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8L/8HDR PC4-25600 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D Rambus
867235
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 035 ₽ 7 082 ₽
Скидка -6%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8HDI (PC4-21300) 2666MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D IDT)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8HDI (PC4-21300) 2666MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D IDT)
804617
CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19
8 066 ₽ 7 618 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB1-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB1-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V
763079
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
602221
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 CAS Latency (CL): 11
8 393 ₽ 7 630 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
804572
CAS Latency (CL): 21 Артикул производителя (Part Number): M393A1K43DB2-CWE
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
821247
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 CAS Latency (CL): 11
14 131 ₽ 12 455 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
833604
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
804622
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽