info@qbs.ru
×
0
0

Ваша корзина пуста!
Скидка -7%
Модель:
794719
Артикул:
794719
Производитель:
Micron
Артикул:
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Наличие:
8 шт.
Вес:
0.05 кг
36 880 ₽34 467 ₽
Доставка послезавтра и позже, от 490 ₽
Самовывоз сегодня, бесплатно
CAS Latency (CL)
19
Артикул производителя (Part Number)
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Все характеристики
7 дней на возврат
Модуль памяти DDR4 32GB PC4-21300 2666MHz CL19 288-pin ECC 1.2V

Основные характеристики

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 32 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.

Артикул производителя (Part Number) MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Стандарт DDR4
Форм-фактор UDIMM
Объем одного модуля 32 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 32 ГБ
Эффективная частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 Мб/с
Поддержка ECC Есть
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Есть
Количество контактов 288
CAS Latency (CL) 19
Напряжение питания 1.2 В
Нормальная операционная температура (Tcase) 75 °C
Радиатор Нет

Основные параметры

CAS Latency (CL)
19
Артикул производителя (Part Number)
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Буферизованная (регистровая)
Нет
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1 шт
Количество ранков
2
Количество чипов на модуле
18 шт
Компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная
Есть
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
Объем одного модуля
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
Поддержка ECC
Есть
Пропускная способность
21300 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
Стандарт
DDR4
Суммарный объем
32 ГБ
Форм-фактор
UDIMM
Эффективная частота
2666 МГц

Габариты и вес

Вес:
0.05 кг
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще.

Micron PCIe Gen6 SSD: 3,6 ГБ/с для ЦОД — обзор 2026
Micron PCIe Gen6 SSD: 3,6 ГБ/с для ЦОД — обзор 2026
Micron анонсировала первый в отрасли PCIe Gen6 SSD для ЦОД — инженерные образцы уже переданы партнёрам. Для российских интеграторов и закупщ..
Micron представила SSD 6600 ION объёмом до 245 ТБ для ЦОД
Micron представила SSD 6600 ION объёмом до 245 ТБ для ЦОД
Компания Micron анонсировала твердотельный накопитель 6600 ION NVMe SSD с рекордной ёмкостью до 245 ТБ. Новинка ориентирована на задачи иску..
Micron прогнозирует сильные квартальные результаты на фоне роста спроса на чипы памяти
Micron прогнозирует сильные квартальные результаты на фоне роста спроса на чипы памяти
Micron Technology, один из крупнейших производителей чипов памяти, объявил о прогнозе квартальной прибыли и выручки, значительно превышающем..
Micron запускает 245-терабайтный SSD 6600 ION для ЦОД
Micron запускает 245-терабайтный SSD 6600 ION для ЦОД
Компания Micron объявила о начале поставок твердотельного накопителя 6600 ION ёмкостью 245 ТБ, предназначенного для центров обработки данных..
Micron запускает 245-ТБ SSD 6600 ION: рекордная ёмкость для ЦОД
Micron запускает 245-ТБ SSD 6600 ION: рекордная ёмкость для ЦОД
Компания Micron объявила о начале поставок твердотельного накопителя Micron 6600 ION NVMe ёмкостью 245 ТБ — самого ёмкого корпоративного SSD..
Micron и Anthropic объединяются для масштабирования AI-инфраструктуры
Micron и Anthropic объединяются для масштабирования AI-инфраструктуры
Micron Technology и компания Anthropic, разработчик ИИ-модели Claude, объявили о стратегическом партнёрстве. Соглашение охватывает совместно..
Micron представил SSD для ЦОД: что важно знать российским закупщикам
Micron представил SSD для ЦОД: что важно знать российским закупщикам
Компания Micron анонсировала новые решения для хранения данных в центрах обработки данных, включая самый быстрый в мире SSD для ЦОД. Эти нак..
Micron уходит из потребительского сегмента: что это значит для российского B2B-рынка
Micron уходит из потребительского сегмента: что это значит для российского B2B-рынка
Компания Micron Technology, один из мировых лидеров в области памяти и хранения данных, объявила о прекращении выпуска потребительских проду..
Micron представил первые в отрасли SSD на 9-м поколении NAND для ИИ
Micron представил первые в отрасли SSD на 9-м поколении NAND для ИИ
Компания Micron анонсировала новое семейство твердотельных накопителей для центров обработки данных, построенных на 9-м поколении NAND (G9 N..

Micron

Micron — ведущий производитель памяти и накопителей для корпоративных ЦОД, предлагающий высоконадёжные SSD и модули DRAM для серверов и систем хранения данных.5300 PRO — Надёжные SATA SSD для корпоративных систем5300 MAX — Высокоресурсные SATA SSD дл... Подробнее...
Похожие товары
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 32GB Micron MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 PC4-25600 3200MHz ECC CL22 288pin 1.2V
Модуль памяти DDR4 32GB Micron MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 PC4-25600 3200MHz ECC CL22 288pin 1.2V
785836
CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22
36 880 ₽ 34 467 ₽
Скидка -8%
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM29ED8/32ME 2933MHz ECC CL21 2Rx8 Micron E
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM29ED8/32ME 2933MHz ECC CL21 2Rx8 Micron E
800930
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
37 588 ₽ 34 467 ₽
Скидка -21%
Модуль памяти DDR4 32GB Samsung M391A4G43BB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V
Модуль памяти DDR4 32GB Samsung M391A4G43BB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V
889090
CAS Latency (CL): 22 XMP совместимая память: Нет
43 508 ₽ 34 467 ₽
Скидка -34%
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM32ED8/32ME PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V retail
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM32ED8/32ME PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V retail
803531
CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22
56 826 ₽ 37 664 ₽
Скидка -94%
Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Kingston KSM29SED8/32ME 2933MHz CL21 ECC 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron E retail
Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Kingston KSM29SED8/32ME 2933MHz CL21 ECC 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron E retail
851182
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 21
679 312 ₽ 37 861 ₽
Модуль памяти Dell 370-ADOT 32GB Dual Rank RDIMM 2666MHz Kit for G14 servers
613782
CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19
56 648 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти DDR3 8GB Transcend TS1GLK72V6H PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V ECC Unbuffered 2Rx8 ОЕМ
Модуль памяти DDR3 8GB Transcend TS1GLK72V6H PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V ECC Unbuffered 2Rx8 ОЕМ
359226
Activate to Precharge Delay (tRAS): 30 CAS Latency (CL): 11
12 530 ₽ 11 391 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8L/8HDR PC4-25600 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D Rambus
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8L/8HDR PC4-25600 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D Rambus
867235
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 035 ₽ 7 082 ₽
Скидка -6%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8HDI (PC4-21300) 2666MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D IDT)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8HDI (PC4-21300) 2666MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D IDT)
804617
CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19
8 066 ₽ 7 618 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB1-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB1-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V
763079
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
602221
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 CAS Latency (CL): 11
8 393 ₽ 7 630 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
804572
CAS Latency (CL): 21 Артикул производителя (Part Number): M393A1K43DB2-CWE
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
821247
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 CAS Latency (CL): 11
14 131 ₽ 12 455 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
833604
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
804622
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽