+7 495 933 6 999
info@qbs.ru
0
0

Ваша корзина пуста!
Скидка -9%
Модель:
602221
Артикул:
602221
Производитель:
Transcend
Артикул:
TS512MSK72W6H
Наличие:
7 шт.
Вес:
0.05 кг
8 393 ₽7 630 ₽
Доставка послезавтра и позже, от 490 ₽
Самовывоз сегодня, бесплатно
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
CAS Latency (CL)
11
Все характеристики
7 дней на возврат
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL

Основные характеристики

Модуль памяти SODIMM DDR3L малой емкости. Стандартные частоты по JEDEC.

Стандарт DDR3L
Форм-фактор SODIMM
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 4 ГБ
Эффективная частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Поддержка ECC Нет
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Нет
Количество контактов 204
CAS Latency (CL) 11
Напряжение питания 1.35 В
Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C
Радиатор Нет
Габариты 67.6 x 30 мм
Ссылка на описание на сайте производителя

Основные параметры

Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Буферизованная (регистровая)
Нет
Вид поставки
Blister Pack/Street Retail
Габариты
67.6 x 30 мм
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
DDR3L
Количество чипов на модуле
8 шт
Компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
Напряжение питания
1.35 В
Низкопрофильная
Нет
Нормальная операционная температура (Tcase)
85 °C
Объем одного модуля
4 ГБ
Поддержка ECC
Нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
95 °C
Ссылка на описание на сайте производителя
www.transcend-info.com
Стандарт
DDR3L
Суммарный объем
4 ГБ
Форм-фактор
SODIMM
Эффективная частота
1600 МГц

Габариты и вес

Вес:
0.05 кг
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще.

Похожие товары
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
804572
CAS Latency (CL): 21 Артикул производителя (Part Number): M393A1K43DB2-CWE
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
821247
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 CAS Latency (CL): 11
14 131 ₽ 12 455 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
833604
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
804622
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти DDR4 8GB Transcend TS1GHR72V1HL PC4-17000 2133MHz CL15 1.2V ECC Reg VLP RTL
Модуль памяти DDR4 8GB Transcend TS1GHR72V1HL PC4-17000 2133MHz CL15 1.2V ECC Reg VLP RTL
660480
CAS Latency (CL): 15 Артикул производителя (Part Number): TS1GHR72V1HL
10 362 ₽ 9 419 ₽
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8MRR 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 8Gbit Micron R Rambus (retail)
882457
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
11 175 ₽
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8MRR 2666MHz ECC Reg CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus retail
880546
CAS Latency (CL): 19 Артикул производителя (Part Number): KSM26RS8/8MRR
11 426 ₽
Скидка -17%
Модуль памяти ProXtend D-DDR4-16GB-001 PC4-19200 2400MHz
Модуль памяти ProXtend D-DDR4-16GB-001 PC4-19200 2400MHz
847769
CAS Latency (CL): 17 RAS to CAS Delay (tRCD): 17
16 395 ₽ 13 542 ₽
Скидка -18%
Модуль памяти DDR4 16GB Kingston KSM26RS8/16MEI 2666MHz ECC Reg CL19 1Rx8  Micron E IDT
Модуль памяти DDR4 16GB Kingston KSM26RS8/16MEI 2666MHz ECC Reg CL19 1Rx8  Micron E IDT
818318
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 19
19 270 ₽ 15 769 ₽
Модуль памяти DDR4 16GB Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2R1 16GB PC25600 3200MHz ECC Reg
873421
CAS Latency (CL): 22 XMP совместимая память: Нет
16 870 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 16GB Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 PC4-23400 2933MHz CL21 288-pin ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 16GB Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 PC4-23400 2933MHz CL21 288-pin ECC Reg 1.2V
794683
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
18 051 ₽ 16 870 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K40EB3-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K40EB3-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
890171
CAS Latency (CL): 24 XMP совместимая память: Нет
18 051 ₽ 16 870 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K43BB3-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K43BB3-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V
896133
CAS Latency (CL): 22 XMP совместимая память: Нет
18 051 ₽ 16 870 ₽
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K40DB2-CTD PC4-21300 2666MHz CL19 ECC Reg 1.2V
889091
CAS Latency (CL): 19 XMP совместимая память: Нет
16 870 ₽