info@qbs.ru
×
0
0

Ваша корзина пуста!
Скидка -7%
Модель:
763079
Артикул:
763079
Производитель:
Samsung
Артикул:
M393A1K43DB1-CVF
Наличие:
6 шт.
Вес:
0.05 кг
8 630 ₽8 066 ₽
Доставка послезавтра и позже, от 490 ₽
Самовывоз сегодня, бесплатно
CAS Latency (CL)
21
RAS to CAS Delay (tRCD)
21
Все характеристики
7 дней на возврат

Надёжность серверной памяти Samsung

Модуль памяти Samsung DDR4 объёмом 8 ГБ с поддержкой ECC и регистровым буфером — это профессиональное решение для критически важных серверных систем. Разработанный для бесперебойной работы 24/7, он обеспечивает стабильность и целостность данных в условиях высокой нагрузки.

Почему выбирают Samsung ECC Reg?

Технология ECC (Error Correcting Code) автоматически исправляет однобитовые ошибки памяти, предотвращая сбои и потерю данных. В сочетании с регистровым буфером (Registered) модуль снижает нагрузку на контроллер памяти, позволяя устанавливать больше планок в один канал без потери производительности.

«Серверная память Samsung — это эталон надёжности для корпоративных ЦОД и рабочих станций».

Совместимость и производительность

Модуль работает на эффективной частоте 2933 МГц с пропускной способностью до 23500 Мб/с. Низкая задержка CAS Latency 21 обеспечивает быстрый доступ к данным. Напряжение 1.2 В экономит энергию и снижает тепловыделение.

Форм-фактор RDIMM с 288 контактами и одним ранком идеально подходит для серверов ведущих брендов: Lenovo, Dell, HP, Huawei, Asus. Модуль совместим с системами, требующими ECC Registered память.

Преимущества для вашего бизнеса

  • Стабильность — исправление ошибок на аппаратном уровне.
  • Масштабируемость — поддержка большого количества модулей на канал.
  • Энергоэффективность — 1.2 В снижает затраты на охлаждение.
  • Долговечность — заводское тестирование Samsung.

Выбирайте проверенную память для ваших серверных задач. Модуль Samsung M393A1K43DB1-CVF — это инвестиция в бесперебойную работу инфраструктуры.

Основные параметры

CAS Latency (CL)
21
RAS to CAS Delay (tRCD)
21
Row Precharge Delay (tRP)
21
Артикул производителя (Part Number)
M393A1K43DB1-CVF
Буферизованная (регистровая)
Есть
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1 шт
Количество ранков
1
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная
Нет
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
Объем одного модуля
M393A1K43DB1-CVF
Поддержка ECC
Есть
Пропускная способность
23500 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
Стандарт
DDR4
Суммарный объем
8 ГБ
Форм-фактор
RDIMM
Эффективная частота
2933 МГц

Габариты и вес

Вес:
0.05 кг
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще.

Samsung начал поставки высокопроизводительных SSD SM843T для серверов и ЦОД
Samsung начал поставки высокопроизводительных SSD SM843T для серверов и ЦОД
Samsung объявил о начале массовых поставок твердотельного накопителя SM843T, предназначенного для высокопроизводительных серверов и систем х..
Samsung запускает массовое производство SSD PM1763 на PCIe 6.0 для AI-инфраструктуры
Samsung запускает массовое производство SSD PM1763 на PCIe 6.0 для AI-инфраструктуры
Samsung объявил о начале массового производства твердотельного накопителя PM1763, ориентированного на серверы нового поколения для задач иск..
Samsung демонстрирует 3D-транзисторы с шагом 42 нм: новый этап в развитии полупроводников
Samsung демонстрирует 3D-транзисторы с шагом 42 нм: новый этап в развитии полупроводников
Samsung Electronics представила прототип 3D Stacked FET — транзистора, в котором каналы размещены вертикально друг над другом. Технология, а..

Samsung

Samsung предлагает корпоративные решения для хранения данных, памяти и профессиональных дисплеев, обеспечивая высокую производительность и надежность для бизнес-задач.PM1643a — Корпоративные SSD SAS для высоконагруженных систем хранения данныхPM1733 ... Подробнее...
Рекомендуем посмотреть
Похожие товары
Скидка -9%
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
602221
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 CAS Latency (CL): 11
8 393 ₽ 7 630 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
804572
CAS Latency (CL): 21 Артикул производителя (Part Number): M393A1K43DB2-CWE
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
821247
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 CAS Latency (CL): 11
14 131 ₽ 12 455 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
833604
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
804622
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти DDR4 8GB Transcend TS1GHR72V1HL PC4-17000 2133MHz CL15 1.2V ECC Reg VLP RTL
Модуль памяти DDR4 8GB Transcend TS1GHR72V1HL PC4-17000 2133MHz CL15 1.2V ECC Reg VLP RTL
660480
CAS Latency (CL): 15 Артикул производителя (Part Number): TS1GHR72V1HL
10 362 ₽ 9 419 ₽
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8MRR 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 8Gbit Micron R Rambus (retail)
882457
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
11 175 ₽
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8MRR 2666MHz ECC Reg CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus retail
880546
CAS Latency (CL): 19 Артикул производителя (Part Number): KSM26RS8/8MRR
11 426 ₽
Скидка -17%
Модуль памяти ProXtend D-DDR4-16GB-001 PC4-19200 2400MHz
Модуль памяти ProXtend D-DDR4-16GB-001 PC4-19200 2400MHz
847769
CAS Latency (CL): 17 RAS to CAS Delay (tRCD): 17
16 395 ₽ 13 542 ₽
Скидка -18%
Модуль памяти DDR4 16GB Kingston KSM26RS8/16MEI 2666MHz ECC Reg CL19 1Rx8  Micron E IDT
Модуль памяти DDR4 16GB Kingston KSM26RS8/16MEI 2666MHz ECC Reg CL19 1Rx8  Micron E IDT
818318
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 19
19 270 ₽ 15 769 ₽
Модуль памяти DDR4 16GB Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2R1 16GB PC25600 3200MHz ECC Reg
873421
CAS Latency (CL): 22 XMP совместимая память: Нет
16 870 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 16GB Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 PC4-23400 2933MHz CL21 288-pin ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 16GB Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 PC4-23400 2933MHz CL21 288-pin ECC Reg 1.2V
794683
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
18 051 ₽ 16 870 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K40EB3-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K40EB3-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
890171
CAS Latency (CL): 24 XMP совместимая память: Нет
18 051 ₽ 16 870 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K43BB3-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M393A2K43BB3-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V
896133
CAS Latency (CL): 22 XMP совместимая память: Нет
18 051 ₽ 16 870 ₽