info@qbs.ru
×
0
0

Ваша корзина пуста!
Скидка -21%
Модель:
889090
Артикул:
889090
Производитель:
Samsung
Артикул:
M391A4G43BB1-CWE
Наличие:
2 шт.
Вес:
0.04 кг
43 508 ₽34 467 ₽
Доставка послезавтра и позже, от 490 ₽
Самовывоз сегодня, бесплатно
CAS Latency (CL)
22
XMP совместимая память
Нет
Все характеристики
7 дней на возврат

Надежность и производительность для вашего сервера

Модуль памяти Samsung DDR4 32GB (M391A4G43BB1-CWE) с частотой 3200 МГц и поддержкой ECC — это идеальное решение для серверов, рабочих станций и систем хранения данных. Благодаря технологии коррекции ошибок (ECC) вы получаете стабильную работу без сбоев, что критично для баз данных, виртуализации и облачных вычислений.

Почему стоит выбрать этот модуль?

  • 32 ГБ на одном модуле — эффективное расширение памяти без занятия лишних слотов.
  • Частота 3200 МГц и пропускная способность 25600 Мб/с обеспечивают быструю обработку данных.
  • Напряжение питания всего 1.2 В — экономия энергии и снижение тепловыделения.
  • Форм-фактор DIMM 288-pin совместим с большинством серверных плат.

Преимущества для бизнеса

Используя серверную память Samsung с ECC, вы минимизируете риск потери данных и простоев. Это особенно важно для финансовых учреждений, дата-центров и предприятий, где каждая секунда на счету.

Модуль относится к серии Samsung M391A4G43BB1-CWE и имеет двухранковую архитектуру, что повышает производительность в многозадачных сценариях. Он небуферизованный (unbuffered), но с поддержкой ECC, что обеспечивает баланс между скоростью и надежностью.

Совместимость и установка

Память подходит для серверов на базе процессоров Intel Xeon и AMD EPYC, поддерживающих DDR4 ECC. Убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает частоту 3200 МГц — большинство современных плат совместимы. Для достижения максимальной производительности рекомендуется устанавливать модули парами в двухканальном режиме.

Технические особенности

  • Объем: 32 ГБ (1 модуль)
  • Стандарт: DDR4
  • Частота: 3200 МГц (PC4-25600)
  • Пропускная способность: 25600 Мб/с
  • Напряжение: 1.2 В
  • Количество контактов: 288
  • Ранков: 2
  • ECC: Да
  • Регистровая: Нет
  • Низкопрофильная: Нет

Выбирая Samsung M391A4G43BB1-CWE, вы получаете продукцию от мирового лидера в производстве памяти, проверенную годами эксплуатации в самых требовательных средах.

Основные параметры

CAS Latency (CL)
22
XMP совместимая память
Нет
Артикул производителя (Part Number)
M391A4G43BB1-CWE
Буферизованная (регистровая)
Нет
Габариты
133.4 мм
Количество контактов
288
Количество модулей в комплекте
1 шт
Количество ранков
2
Максимальная выделяемая мощность
12 Вт
Наличие подсветки
Нет
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная
Нет
Нормальная операционная температура (Tcase)
85 °C
Объем одного модуля
M391A4G43BB1-CWE
Поддержка ECC
Есть
Пропускная способность
25600 Мб/с
Радиатор
Нет
Расширенная операционная температура (Tcase)
95 °C
Стандарт
DDR4
Суммарный объем
32 ГБ
Форм-фактор
DIMM
Эффективная частота
3200 МГц

Габариты и вес

Вес:
0.04 кг
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще.

Рекомендуем посмотреть
Похожие товары
Скидка -34%
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM32ED8/32ME PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V retail
Модуль памяти DDR4 32GB Kingston KSM32ED8/32ME PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V retail
803531
CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22
56 826 ₽ 37 664 ₽
Скидка -94%
Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Kingston KSM29SED8/32ME 2933MHz CL21 ECC 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron E retail
Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Kingston KSM29SED8/32ME 2933MHz CL21 ECC 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron E retail
851182
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 21
679 312 ₽ 37 861 ₽
Модуль памяти Dell 370-ADOT 32GB Dual Rank RDIMM 2666MHz Kit for G14 servers
613782
CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19
56 648 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти DDR3 8GB Transcend TS1GLK72V6H PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V ECC Unbuffered 2Rx8 ОЕМ
Модуль памяти DDR3 8GB Transcend TS1GLK72V6H PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V ECC Unbuffered 2Rx8 ОЕМ
359226
Activate to Precharge Delay (tRAS): 30 CAS Latency (CL): 11
12 530 ₽ 11 391 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8L/8HDR PC4-25600 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D Rambus
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8L/8HDR PC4-25600 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Hynix D Rambus
867235
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 035 ₽ 7 082 ₽
Скидка -6%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8HDI (PC4-21300) 2666MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D IDT)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8HDI (PC4-21300) 2666MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D IDT)
804617
CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19
8 066 ₽ 7 618 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB1-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB1-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V
763079
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Transcend TS512MSK72W6H PC3L-12800 1600MHz ECC CL11 1.35V 512Mx8 RTL
602221
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 CAS Latency (CL): 11
8 393 ₽ 7 630 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M393A1K43DB2-CWE PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V
804572
CAS Latency (CL): 21 Артикул производителя (Part Number): M393A1K43DB2-CWE
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -12%
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LE11/8KF 1600MHz ECC CL11 2R 4Gbit 1.35V
821247
Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 CAS Latency (CL): 11
14 131 ₽ 12 455 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8HDR 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit
833604
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -7%
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM29RS8/8HDR RDIMM 2933MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V (Hynix D Rambus)
804622
CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21
8 630 ₽ 8 066 ₽
Скидка -9%
Модуль памяти DDR4 8GB Transcend TS1GHR72V1HL PC4-17000 2133MHz CL15 1.2V ECC Reg VLP RTL
Модуль памяти DDR4 8GB Transcend TS1GHR72V1HL PC4-17000 2133MHz CL15 1.2V ECC Reg VLP RTL
660480
CAS Latency (CL): 15 Артикул производителя (Part Number): TS1GHR72V1HL
10 362 ₽ 9 419 ₽
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM32RS8/8MRR 3200MHz ECC Reg CL22 1RX8 1.2V 8Gbit Micron R Rambus (retail)
882457
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 CAS Latency (CL): 22
11 175 ₽
Модуль памяти DDR4 8GB Kingston KSM26RS8/8MRR 2666MHz ECC Reg CL19 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus retail
880546
CAS Latency (CL): 19 Артикул производителя (Part Number): KSM26RS8/8MRR
11 426 ₽