Name: Модуль памяти DDR3 8GB Samsung M393B1G70BH0-YK0 PC3-12800 1600MHz 1.35V Tray ECC Registered
Brand: Samsung
SKU: 715904
Price: 7653 RUB
Availability: InStock

Скидка -12%

Модуль памяти DDR3 8GB Samsung M393B1G70BH0-YK0 PC3-12800 1600MHz 1.35V Tray ECC Registered купить QBS.ru

Модель:

715904

Артикул:

715904

Производитель:

Samsung

Артикул:

M393B1G70BH0-YK0

Наличие:

6 шт.

Вес:

0.1 кг

8 683 ₽7 653 ₽

0 отзывов

Доставка послезавтра и позже, от 490 ₽
Самовывоз сегодня, бесплатно

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD)

Все характеристики

Модуль памяти DDR3 8GB PC3-12800 1600MHz 1.35V Tray ECC Registered

Основные характеристики

Артикул производителя (Part Number)	M393B1G70BH0-YK0
Стандарт	DDR3
Форм-фактор	DIMM
Объем одного модуля	8 ГБ
Количество модулей в комплекте	1 шт
Суммарный объем	8 ГБ
Эффективная частота	1600 МГц
Пропускная способность	12800 Мб/с
Поддержка ECC	Есть
Буферизованная (регистровая)	Есть
Низкопрофильная	Нет
Количество контактов	240
CAS Latency (CL)	11
Напряжение питания	1.35 В
Нормальная операционная температура (Tcase)	75 °C
Радиатор	Нет

Основные параметры

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD)

Row Precharge Delay (tRP)

Артикул производителя (Part Number)

M393B1G70BH0-YK0

Буферизованная (регистровая)

Есть

Количество контактов

240

Количество модулей в комплекте

1 шт

Количество ранков

Напряжение питания

1.35 В

Низкопрофильная

Нет

Нормальная операционная температура (Tcase)

75 °C

Объем одного модуля

M393B1G70BH0-YK0

Поддержка ECC

Есть

Пропускная способность

12800 Мб/с

Радиатор

Нет

Расширенная операционная температура (Tcase)

85 °C

Стандарт

DDR3

Суммарный объем

8 ГБ

Форм-фактор

DIMM

Эффективная частота

1600 МГц

Габариты и вес

Вес:

0.1 кг

Отзывов: 0

Средняя оценка: 0

Ваше имя

Достоинства

Недостатки

Ваш отзыв

Рейтинг

Я прочитал(-а) Политика конфиденциальности и согласен(-на) с условиями

Нет отзывов об этом товаре.

Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще.

Новости вендоров 23.07.2026 16

Samsung HBM4E: 4 ТБ/с для NVIDIA Vera Rubin — обзор 2026

Samsung на GTC 2026 представила HBM4E — шестое поколение памяти с пропускной способностью 4,0 ТБ/с и скоростью 16 Гбит/с на контакт. Новинка..

Новости вендоров 19.07.2026 12

Samsung на FMS 2025 представил дорожную карту памяти и накопителей для ИИ

Samsung Electronics на конференции FMS 2025 (Future Memory & Storage) представила стратегию развития памяти и накопителей для эпохи искусств..

Новости вендоров 15.07.2026 14

Samsung запускает массовое производство CXL-модулей памяти и SSD для ЦОД

Samsung объявил о начале массового выпуска CXL-модулей памяти CMM-D и SSD для ЦОД, что знаменует переход технологии CXL (Compute Express Lin..

Новости вендоров 08.07.2026 18

Samsung начал поставки высокопроизводительных SSD SM843T для серверов и ЦОД

Samsung объявил о начале массовых поставок твердотельного накопителя SM843T, предназначенного для высокопроизводительных серверов и систем х..

Новости вендоров 08.07.2026 17

Samsung запускает массовое производство SSD PM1763 на PCIe 6.0 для AI-инфраструктуры

Samsung объявил о начале массового производства твердотельного накопителя PM1763, ориентированного на серверы нового поколения для задач иск..

Новости вендоров 17.06.2026 23

Samsung демонстрирует 3D-транзисторы с шагом 42 нм: новый этап в развитии полупроводников

Samsung Electronics представила прототип 3D Stacked FET — транзистора, в котором каналы размещены вертикально друг над другом. Технология, а..

Samsung

Samsung предлагает корпоративные решения для хранения данных, памяти и профессиональных дисплеев, обеспечивая высокую производительность и надежность для бизнес-задач.PM1643a — Корпоративные SSD SAS для высоконагруженных систем хранения данныхPM1733 ... Подробнее...

Похожие товары

Скидка -10%